produktai

Produktai

Flanšinis užbaigimas

Flanšiniai terminalai montuojami grandinės gale, jie sugeria grandinėje perduodamus signalus ir neleidžia jiems atsispindėti, taip paveikdami grandinės sistemos perdavimo kokybę. Flanšinis terminalas surenkamas suvirinant vieno laido terminalo rezistorių su flanšais ir lopais. Flanšo dydis paprastai projektuojamas pagal montavimo angų ir terminalo varžos matmenų derinį. Taip pat galima pritaikyti pagal kliento naudojimo reikalavimus.


  • Nominali galia:5–1500 W
  • Pagrindo medžiagos:BeO, AlN, Al₂O₃
  • Nominali varžos vertė:50Ω
  • Atsparumo tolerancija:±5 %, ±2 %, ±1 %
  • Temperatūros koeficientas:<150 ppm/℃
  • Darbinė temperatūra:-55~+150 ℃
  • Flanšo danga:pasirinktinai nikelio arba sidabro padengimas
  • ROHS standartas:Atitinka
  • Švino ilgis:L, kaip nurodyta duomenų lape
  • Individualus dizainas galimas pagal pageidavimą.:
  • Produkto informacija

    Produkto žymės

    Flanšinis užbaigimas

    Flanšinis užbaigimas
    Pagrindinės techninės specifikacijos:

    Nominali galia: 5–1500 W;
    Pagrindo medžiagos: BeO, AlN, Al2O3
    Nominali varžos vertė: 50Ω
    Atsparumo tolerancija: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Temperatūros koeficientas: <150 ppm/℃
    Darbinė temperatūra: -55 ~ +150 ℃
    Flanšo danga: pasirinktinai nikelio arba sidabro padengimas
    ROHS standartas: atitinka
    Taikomas standartas: Q/RFTYTR001-2022
    Laido ilgis: L, kaip nurodyta duomenų lape
    (galima pritaikyti pagal kliento reikalavimus)

    zxczxc1
    Galia
    (V)
    Dažnis
    Diapazonas
    Matmuo (vienetas: mm) SubstratasMedžiaga Konfigūracija Duomenų lapas
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  1 pav.   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  1 pav.   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  2 pav.   RFT50A-05TM0904(D, K, A)
    10 W 4 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav.   RFT50-10TM7750((D, K))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  1 pav.   RFT50A-10TM1304
    AlN 1 pav.   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  1 pav.   RFT50A-10TM1104
    AlN 1 pav.   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 2 pav.   RFT50A-10TM0904 (D, K, A)
      AlN 2 pav.   RFT50N-10TJ0904 (D, K, A)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 1 pav.   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO 1 pav.   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 2 pav.   RFT50-10TM0904 (D, K, A)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav.   RFT50-10TM7750I
    20 W 4 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav.   RFT50-20TM7750((D, K))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN 1 pav.   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN 1 pav.   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN 2 pav.   RFT50N-20TJ0904 (D, K, A)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 1 pav.   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO 1 pav.   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 2 pav.   RFT50-10TM0904 (D, K, A)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav.   RFT50-10TM7750I
    30 W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN 1 pav.   RFT50N-30TJ1606
    BeO 1 pav.   RFT50-30TM1606
    20,0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 1 pav.   RFT50N-30TJ2006
    BeO 1 pav.   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 2 pav.   RFT50N-30TJ1306 (D, K, A)
    3.0 BeO 2 pav.   RFT50-30TM1306 (D, K, A)
    60 W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN 1 pav.   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO 1 pav.   RFT50-60TM1606
    20,0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 1 pav.   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO 1 pav.   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 2 pav.   RFT50N-60TJ1306 (D, K, A)
    3.2 BeO 2 pav.   RFT50-60TM1306 (D, K, A)
    法兰式终端Fig3, 4,5
    Galia
    (V)
    Dažnis
    Diapazonas
    Matmenys (vienetas: mm) Substratas
    Medžiaga
    Konfigūracija Duomenų lapas (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO 1 pav.   RFT50-100TM2595
    4 GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO 2 pav.   RFT50N-100TM1606
    20,0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO 1 pav.   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO 1 pav.   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 4 pav.   RFT50-100TJ1610 (D, K, A)
    23,0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1 pav.   RFT50-100TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO 2 pav.   RFT50-100TJ1363 (D, K, A)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO 1 pav.   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN 1 pav.   RFT50N-100TJ1606B
    20,0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 1 pav.   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20,0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN 1 pav.   RFT50N-100TJ2006C
    150 W 3 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 4 pav.   RFT50-150TM1610 (D, K, A)
    22.0 9,5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN 1 pav.   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO 1 pav.   RFT50-150TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-150TM2510
    4 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 4 pav.   RFT50-150TJ1610 (D, K, A)
    23,0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 3 pav.   RFT50-150TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-150TJ2510
    200 W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO 1 pav.   RFT50-200TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-200TM2510
    4 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 2 pav.   RFT50-200TM1610 (D, K, A)
    23,0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 3 pav.   RFT50-200TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1 pav.   RFT50-200TM3213B
    250 W 3 GHz 23,0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 3 pav.   RFT50-250TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-250TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1 pav.   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1 pav.   RFT50-250TM3213B
    300 W 3 GHz 23,0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1 pav.   RFT50-300TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1 pav.   RFT50-300TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1 pav.   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1 pav.   RFT50-300TM3213B
    400 W 2 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1 pav.   RFT50-400TM3213
    500 W 2 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1 pav.   RFT50-500TM3213
    800 W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO 5 pav.   RFT50-800TM4826
    1000 W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO 5 pav.   RFT50-1000TM4826
    1500 W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15,0 4.2 BeO 5 pav.   RFT50-1500TM5078

    Apžvalga

    Flanšas paprastai pagamintas iš vario, nikelio arba sidabro, o varžos substratas paprastai gaminamas iš berilio oksido, aliuminio nitrido ir aliuminio oksido spausdinimo, atsižvelgiant į galios reikalavimus ir šilumos išsklaidymo sąlygas.

    Flanšinis terminalas, kaip ir išvadinis terminalas, daugiausia naudojamas grandinės galui perduodamoms signalo bangoms sugerti, signalo atspindžio poveikiui grandinei išvengti ir grandinės sistemos perdavimo kokybei užtikrinti.

    Flanšinis jungimas pasižymi lengvu montavimu, palyginti su kontaktiniais rezistoriais, dėl flanšo ir tvirtinimo angų flanše.


  • Ankstesnis:
  • Toliau: