Produktai

Produktai

Flanšinis galas

Grandinės gale įrengiami flanšiniai galai, kurie sugeria grandinėje perduodamus signalus ir neleidžia signalui atspindėti, taip paveikdami grandinės sistemos perdavimo kokybę.

Flanšinis gnybtas surenkamas suvirinant vieno laido gnybtų rezistorių su flanšais ir lopais.Flanšo dydis paprastai projektuojamas pagal montavimo angų ir gnybtų varžos matmenų derinį.Taip pat galima pritaikyti pagal kliento naudojimo reikalavimus.


  • :
  • Produkto detalė

    Produkto etiketės

    Flanšinis galas

    Flanšinis galas
    Pagrindinės techninės specifikacijos:

    Nominali galia: 5-1500W;
    Pagrindo medžiagos: BeO, AlN, Al2O3
    Nominali varžos vertė: 50Ω
    Atsparumo tolerancija: ± 5 %, ± 2 %, ± 1 %
    Temperatūros koeficientas: :150ppm/℃
    Darbinė temperatūra: -55 ~+150 ℃
    Flanšo danga: pasirinktinai nikeliavimas arba sidabravimas
    ROHS standartas: Atitinka
    Taikomas standartas: Q/RFTYTR001-2022
    Laido ilgis: L, kaip nurodyta duomenų lape
    (gali būti pritaikytas pagal kliento reikalavimus)

    zxczxc1
    Galia
    (W)
    Dažnis
    diapazonas
    Matmenys (vienetas: mm) SubstratasMedžiaga Konfigūracija Duomenų lapas
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Fig.1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Fig.1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  2 pav   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Fig.1   RFT50A-10TM1304
    AlN Fig.1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Fig.1   RFT50A-10TM1104
    AlN Fig.1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 2 pav   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN 2 pav   RFT50N-10TJ0904 (R, L, I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Fig.1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO Fig.1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 2 pav   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav   RFT50-10TM7705I
    20W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN Fig.1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN Fig.1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN 2 pav   RFT50N-20TJ0904 (R, L, I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Fig.1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO Fig.1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 2 pav   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2 pav   RFT50-10TM7705I
    30W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN Fig.1   RFT50N-30TJ1606
    BeO Fig.1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Fig.1   RFT50N-30TJ2006
    BeO Fig.1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 2 pav   RFT50N-30TJ1306 (R, L, I)
    3.0 BeO 2 pav   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN Fig.1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO Fig.1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Fig.1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO Fig.1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN 2 pav   RFT50N-60TJ1306 (R, L, I)
    3.2 BeO 2 pav   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端3, 4,5 pav
    Galia
    (W)
    Dažnis
    diapazonas
    Matmenys (vienetas: mm) Substratas
    Medžiaga
    Konfigūracija Duomenų lapas (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3 GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Fig.1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO 2 pav   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO Fig.1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO Fig.1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.4   RFT50-100TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO 2 pav   RFT50-100TJ1363 (R, L, I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO Fig.1   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN Fig.1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Fig.1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN Fig.1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.4   RFT50-150TM1610 (R, L, I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN Fig.1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Fig.1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.4   RFT50-150TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-150TJ2510
    200W 3 GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Fig.1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 2 pav   RFT50-200TM1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Fig.1   RFT50-200TM3213B
    250W 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Fig.1   RFT50-250TM3213B
    300W 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Fig.1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO Fig.1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Fig.1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Fig.1   RFT50-400TM3213
    500W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Fig.1   RFT50-500TM3213
    800W 1 GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO Fig.5   RFT50-800TM4826
    1000W 1 GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO Fig.5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO Fig.5   RFT50-1500TM5078

    Apžvalga

    Flanšas paprastai yra pagamintas iš vario dengto nikelio arba sidabro.Atsparus substratas paprastai yra pagamintas iš berilio oksido, aliuminio nitrido ir aliuminio oksido spausdinimo pagal galios reikalavimus ir šilumos išsklaidymo sąlygas.

    Flanšinis galas, kaip ir švino galas, daugiausia naudojamas sugerti signalo bangas, perduodamas į grandinės galą, neleisti signalo atspindžiui paveikti grandinę ir užtikrinti grandinės sistemos perdavimo kokybę.

    Flanšinis galas pasižymi lengvu montavimu, palyginti su pataisiniais rezistoriais dėl flanšo ir tvirtinimo angų flanše.


  • Ankstesnis:
  • Kitas:

  • Parašykite savo žinutę čia ir atsiųskite mums