-
Rftxx-30cr2550W lusto rezistoriaus RF rezistorius
Modelis RFTXX-30CR2550W Galia 30 W varža xx ω (10 ~ 3000Ω pritaikoma) atsparumo tolerancija ± 5% temperatūros koeficientas <150ppm/℃ substrato bedralis BEO atsparumo elementas Storio veikimo temperatūra -55 iki +150 ° C (žr. DE PAGRINDINĖ Prieš naudojimąsi viršija 6 mėnesius, dėmesys skiriamas suvirinamumui. Rekomenduojama ... -
Rftxx-30cr2550ta lusto rezistoriaus RF rezistorius
Modelis RFTXX-30CR2550TA PAGRINDINIS 30W REZOLINIS XX Ω (10 ~ 3000Ω Komplektuojamas) atsparumo tolerancija ± 5% Temperatūros koeficientas <150ppm/℃ substratas BEO atsparumo elementas Storio veikimo temperatūra -55 iki +150 ° C (Žr. Prieš naudojimąsi viršija 6 mėnesius, dėmesys skiriamas suvirinamumui. Rekomenduojama ... -
RFTXX-30RM2006 FLANKED RESSISION RF RESTORER
Modelis rftxx-30rm2006 galia 30 W atsparumas xx ω (10 ~ 2000Ω pritaikomas) atsparumo tolerancija ± 5% talpa 2.6 pf@100Ω temperatūros koeficientas <150ppm/℃ substrato bEO dangtis Al2o3 Montavimo flanšo žalvario švinas 99,99% Pure Sidabrinio elemento storio storio plėvelės temperatūra -55 iki +150 ° C (Žr. ) -
Rftxx-30rm1306 RF rezistorius
Modelis rftxx-30rm1306 galia 30 W atsparumas xx Ω (10 ~ 2000Ω pritaikomas) atsparumo tolerancija ± 5% talpa 2.6 PF@100Ω Temperatūros koeficientas <150ppm/℃ substratas BEO dangtelis Al2O3 Montavimo flanšo žalvario švinas 99,99% Pure Sidabrinio elemento storio storio plėvelės temperatūra -55 iki +150 ° C (Žr. ) -
Dvigubos sankryžos izoliatorius
Dvigubas sankryžos izoliatorius yra pasyvus įtaisas, paprastai naudojamas mikrobangų ir milimetrų bangų dažnių juostose, kad būtų galima atskirti atvirkštinius signalus nuo antenos galo. Jį sudaro dviejų izoliatorių struktūra. Jo įterpimo praradimas ir izoliacija paprastai yra du kartus nei vienas izoliatorius. Jei vieno izoliatoriaus išskyrimas yra 20db, dvigubos jungties izoliatoriaus izoliacija dažnai gali būti 40dB. Uosto VSWR daug keičiasi. Sistemoje, kai radijo dažnio signalas perduodamas iš įvesties prievado į pirmąją žiedo sankryžą, nes viename pirmojo žiedo sankryžos gale yra radijo dažnio rezistorius, jo signalas gali būti perduotas tik į antrosios žiedo sankryžos įvesties galą. Antroji kilpos sankryža yra tokia pati kaip ir pirmoji, įdiegus RF rezistorius, signalas bus perduotas išėjimo prievadui, o jo izoliacija bus dviejų kilpų jungčių išskyrimo suma. Atvirkštinį signalą, grįžtantį iš išvesties prievado, absorbuos RF rezistorius antroje žiedo sankryžoje. Tokiu būdu pasiekiama didelė izoliacija tarp įvesties ir išvesties prievadų, efektyviai sumažinant atspindžius ir trikdžius į sistemą.
Dažnio diapazonas nuo 10 MHz iki 40 GHz, iki 500 W galia.
Kariniai, kosmoso ir komerciniai pritaikymai.
Mažas įterpimo praradimas, didelė izoliacija, didelės galios tvarkymas.
Pasirinktinis dizainas yra pateiktas paprašius.
-
SMT / SMD izoliatorius
SMD izoliatorius yra izoliacijos įtaisas, naudojamas pakuoti ir montuoti PCB (spausdintos plokštės). Jie plačiai naudojami ryšių sistemose, mikrobangų krosnelės įrangoje, radijo įrangoje ir kitose srityse. SMD izoliatoriai yra maži, lengvi ir lengvai montuojami, todėl jie yra tinkami didelio tankio integruotų grandinių programoms. Toliau pateiks išsamų SMD izoliatorių charakteristikų ir taikymo įvadą. Pirmiausia SMD izoliatoriai turi platų dažnių juostos aprėpties galimybes. Paprastai jie apima platų dažnių diapazoną, pavyzdžiui, 400 MHz-18GHz, kad atitiktų skirtingų programų dažnio reikalavimus. Ši plačios dažnių juostos aprėpties galimybė suteikia galimybę SMD izoliatoriams puikiai atlikti kelis programų scenarijus.
Dažnio diapazonas nuo 200MHz iki 15 GHz.
Kariniai, kosmoso ir komerciniai pritaikymai.
Mažas įterpimo praradimas, didelė izoliacija, didelės galios tvarkymas.
Pasirinktinis dizainas yra pateiktas paprašius.
-
Rftxx-20rm0904 RF rezistorius
Modelis RFTXX-20RM0904 Galia 20 W atsparumas xx ω (10 ~ 3000Ω pritaikomas) atsparumo tolerancija ± 5% talpa 1,2 pf@100Ω temperatūros koeficientas <150ppm/℃ substrato bazės dangte ) -
„MicroStrip“ izoliatorius
„MicroStrip“ izoliatoriai yra dažniausiai naudojamas RF ir mikrobangų krosnelės įtaisas, naudojamas signalo perdavimui ir izoliacijai grandinėse. Jis naudoja ploną plėvelės technologiją, kad būtų sukurta grandinė ant besisukančio magnetinio ferito viršaus, o tada prideda magnetinį lauką, kad jį pasiektų. „MicroStrip“ izoliatorių įrengimas paprastai naudoja vario juostelių ar aukso vielos sujungimo rankiniu būdu. „MicroStrip“ izoliatorių struktūra yra labai paprasta, palyginti su bendraašiais ir įterptais izoliatoriais. Akivaizdžiausias skirtumas yra tas, kad nėra ertmės, o mikrotraumo izoliatoriaus laidininkas pagamintas naudojant ploną plėvelės procesą (vakuuminį dulkinimą), kad būtų sukurtas suprojektuotas modelis ant sukamojo ferito. Po elektropliavimo pagamintas laidininkas pritvirtinamas prie sukamojo ferito substrato. Ant grafiko viršaus pritvirtinkite izoliacinės terpės sluoksnį ir pritvirtinkite magnetinį lauką ant terpės. Su tokia paprasta konstrukcija buvo pagamintas mikrotraumo izoliatorius.
Dažnio diapazonas nuo 2,7 iki 43 GHz
Kariniai, kosmoso ir komerciniai pritaikymai.
Mažas įterpimo praradimas, didelė izoliacija, didelės galios tvarkymas.
Pasirinktinis dizainas yra pateiktas paprašius.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0GHz Mažas tarpusavio tarpusavio nutraukimas
Modelis CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Dažnių diapazonas DC ~ 3,0GHz VSWR 1,20 MAX PIM3 ≥120dbc@2*33dbm galia 50W. Dėmesio galios panaikinimas P/N žymėjimas -
RFTXX-20RM1304 RF RESTORER
Modelis RFTXX-20RM1304 Galia 20 W atsparumas xx ω (10 ~ 3000Ω pritaikomas) atsparumo tolerancija ± 5% talpa 1,2 pf@100Ω temperatūros koeficientas <150ppm/℃ substrato bEO danga Al2O3 Montavimo flanšo žalvarių švino 99,99% gryno sidabrinio elemento storio storio plėvelės temperatūra -55 iki +150 ° C (Žr. ) -
-
RFT50-100CT6363 DC ~ 5,0GHz RF Nutraukimas
Modelis RFT50-100CT6363 Dažnio diapazonas DC ~ 5,0GHz Galia 100 W atsparumo diapazonas 50 Ω Atsparumo tolerancija ± 5% VSWR DC ~ 4,0 GHz 1,20MAXDC ~ 5,0 GHz 1,25 max temperatūros koeficientas. Nukreipimo atspindžio laikas ir temperatūros diagrama: P/N žymėjimui reikia dėmesio ■ po saugojimo p ...
